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パワーIC設計の海外転職・求人情報 2 1~2件目を表示中

1件~2件(全2件中)

富士電機株式会社 | 東証一部上場◆世界シェアトップクラス◆平均勤続年数20.4年

パワー半導体製品の【開発設計】★土日祝休み★年休127日 正社員

  • 学歴不問
  • 転勤なし
  • 上場企業
  • 完全週休2日制
  • 女性のおしごと掲載中

★グローバル展開を加速する世界シェアトップクラスのメーカー★将来も安定したキャリアを描けます!

仕事内容 【産業用IGBT(低容量)モジュール製品の設計開発/電気・熱・信頼性設計及び評価を中心に製品設計を推進をお任せします】
対象となる方 【学歴不問】◆強電系製品、パワー半導体、パワーエレクトロニクス製品いずれかの設計開発業務のご経験をお持ちの方
勤務地 松本工場(長野県松本市筑摩四丁目18番1号)
初年度年収 420万円~900万円
給与 ■月給20万7000円~+各種手当(時間外手当、通勤交通費、住宅手当、養育手当) ※経験・能力などを考慮…
ここがポイント
【安定性抜群】創業97年/東証一部上場の大手メーカー
【成長事業】世界トップクラスのパワー半導体を担う
【グローバル】海外展開を加速中/英語も活かせる環境
【風通し抜群】年齢・役職に関係なく意見を言える社風
【福利厚生充実】社員寮あり/育休からの復職率100%
【働きやすい】土日祝休◆年休127日◆平均勤続20.4年
  • 職種未経験OK
  • 上場企業

社会インフラ、産業インフラ、電子デバイス等を主な事業とする、 幅広い技術分野を持つ一部上場グローバル企業です。 電子デバイス製品技術開発が主な職務となります。

仕事内容 ◆ 電子デバイスの製品技術開発職 【具体的な職務】 ・ パワー半導体製品のパッケージ等の構造設計 ・ 開発・設計に付随した手配・取り纏め 等 関連各部と連携し、新製品開発を推進、…
対象となる方 ・ 電子デバイス製品の設計開発の経験 ・ 構造力学や材料、物性に関する基礎的知識 ・ コミュニケーション力、協調性があり前向きに取り組めること
勤務地 長野県 国内、東南アジア、中東諸国、北米等の世界各国に出張の…
給与 年収 400万円 ~ 800万円程度 ご経験、年齢等により応相談

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