仕事内容 | 高効率なエコデバイス実現のため、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。 |
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対象となる方 | ※経験者採用※【必須】大学・高専・大学院卒 以上【必須資格】パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造経験がある方(年齢不問) |
勤務地 | 本社勤務 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208号室… |
給与 | 【年俸制500万円〜】 月額基本給 416,666円〜 + 諸手当 ※年俸を1/12した額を毎月支… |
初年度年収 | 600万円~1000万円 |
仕事内容 | 高効率なエコデバイス実現のため、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。 |
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対象となる方 | ※経験者採用※【必須】大学・高専・大学院卒 以上【必須資格】パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造経験がある方(年齢不問) |
勤務地 | 本社勤務 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208号室… |
給与 | 【年俸制500万円〜】 月額基本給 416,666円〜 + 諸手当 ※年俸を1/12した額を毎月支… |
初年度年収 | 600万円~1000万円 |
仕事内容 | 高効率なエコデバイス実現のため、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。 |
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対象となる方 | ※経験者採用※【必須】大学・高専・大学院卒 以上【必須資格】パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造経験がある方(年齢不問) |
勤務地 | 本社勤務 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208号室… |
給与 | 【年俸制500万円〜】 月額基本給 416,666円〜 + 諸手当 ※年俸を1/12した額を毎月支… |
初年度年収 | 600万円~1000万円 |
仕事内容 | 化合物半導体(SiC・GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたりファウンドリーへの投入計画・生産管理・在庫管理や顧客との日程調整をお任せします。 |
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対象となる方 | ※経験者採用※【必須】大学・大学院卒 以上【必須資格】半導体の生産管理・製造管理・在庫管理経験/半導体(Si・SiC・GaNなど)製造ラインの経験 |
勤務地 | 本社勤務 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208号室… |
給与 | 【年俸制500万円〜1000万円】 月額基本給 416,666円〜833,333円 + 諸手当 ※… |
初年度年収 | 500万円~1000万円 |
仕事内容 | 化合物半導体(SiC・GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたりファウンドリーへの投入計画・生産管理・在庫管理や顧客との日程調整をお任せします。 |
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対象となる方 | ※経験者採用※【必須】大学・大学院卒 以上【必須資格】半導体の生産管理・製造管理・在庫管理経験/半導体(Si・SiC・GaNなど)製造ラインの経験 |
勤務地 | 本社勤務 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208号室… |
給与 | 【年俸制500万円〜1000万円】 月額基本給 416,666円〜833,333円 + 諸手当 ※… |
初年度年収 | 500万円~1000万円 |